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大学院工学研究科/教員一覧

氏名 福室 直樹
フリガナ フクムロ ナオキ
所属 大学院 物質系工学専攻 / 物質・エネルギー部門
学部 応用物質科学科 / 物質・エネルギーコース
研究グループ 表面エネルギー化学研究グループ
連絡 TEL 079-267-4947
FAX 079-267-4947
役職 助教
学位 博士(工学)
顔写真

担当
科目
大学院

物質創成特別演習、エネルギー・変換特別演習

学部

学生実験 I、II 、III 、IV、V、情報科学

専門分野 表面工学
研究内容 めっき法による機能性薄膜の作製および微細構造解析
所属学会
  • 日本金属学会
  • 表面技術協会
  • 最近の研究業績
  • Porous Silicon Formation by HF Chemical Etching for Antireflection of Solar Cells
    S.Yae, H.Tanaka, T.Kobayashi, N.Fukumuro, H.Matsuda
    Phys. Stat. Sol. (c), 印刷中
  • Autocatalytic Deposition of Pure Nickel Films Having Bright Surfaces and High Electrical Conductivity (高導電性光沢純ニッケル薄膜の自己触媒析出)
    K.Ito, S.Yae, T.Hamada, H.Nakano, N.Fukumuro, H.Matsuda,
    Electrochemistry, Vol. 73, No.2, p. 123-127 (2005).
  • 二液法活性化により非導電性基板上に形成される吸着物と無電解Ni-Pめっき初期析出物の微視的形態
    山岸憲史、岡本尚樹、鵜川博之、福室直樹、八重真治、松田 均
    表面技術, Vol. 55, No. 6, p. 417-422 (2004).
  • 無電解Ni-P/TiO2複合めっき膜の構造と光電流密度
    福室直樹、臼井勇樹、小松聖季、八重真治、松田 均
    表面技術, Vol. 55, No. 5, p. 355-359 (2004).
  • 無電解めっきの活性化前処理に用いられるセンシタイジング液の経時変化
    岡本尚樹、八重真治、山岸憲史、三俣宣明、福室直樹、渡辺 徹、松田 均
    表面技術, Vol. 55, No. 4, p. 281-285 (2004).
  • ヒドラジンを還元剤とする無電解純ニッケルめっきの浴組成の単純化
    八重真治、濱田隆弘、横山敦之、伊藤 潔、福室直樹、松田 均
    表面技術, Vol. 55, No. 1, p. 89-90 (2004).
  • TiO2光触媒を利用したマグネシウム合金上への無電解めっきの光パターニング
    福室直樹、加藤陽平、八重真治、松田 均
    表面技術, Vol. 54, No. 12, p. 1056-1057 (2003).
  • Formation of porous silicon by metal particle enhanced chemical etching in HF solution and its application for efficient solar cells
    S.Yae, Y.Kawamoto, H.Tanaka, N.Fukumuro, H.Matsuda,
    Electrochem. Comm., Vol. 5, No. 8, p.632-636 (2003).
  • Electrolessly Deposited Co-W-Zn-P Films Having High Coercivity and High Corrosion Resistance
    S.Yae, T.Kanki, N.Fukumuro, Y.Yamada, H.Matsuda,
    Trans. Inst. Met. Fin., Vol. 81, No. 2, p.45-47 (2003).
  • ■研究の詳細については、こちらをご覧ください。
    ⇒表面エネルギー化学研究グループホームページへ