・半導体は国家安全保障・経済安全保障上重要な技術であり、その中でも2031年の1.0 nmおよび2037年の0.5 nm世代用ロジックデバイスの量産に向けて、EUVリソグラフィーおよびBEUVリソグラフィの各技術の研究開発を推進している。
・放射光を用いて産業利用の中での工学分野で非常に重要な半導体微細加工の基盤技術研究を進めていることに研究グループ名が由来している。
・半導体は国家安全保障・経済安全保障上重要な技術であり、その中でも2031年の1.0 nmおよび2037年の0.5 nm世代用ロジックデバイスの量産に向けて、EUVリソグラフィーおよびBEUVリソグラフィの各技術の研究開発を推進している。
・放射光を用いて産業利用の中での工学分野で非常に重要な半導体微細加工の基盤技術研究を進めていることに研究グループ名が由来している。
EUVレジスト用プロセス技術開発材料、EUVマスク材料評価技術・欠陥検査技術、EUV光用工学素子開発およびその評価技術開発を進めている。これらは総合技術であり、多くの学際的な内容を多岐の亘り学べる。
半導体技術は国家安全保障および経済安全保障上非常に重要な技術であると国際的にも多くの注目が集まっている。この中で、EUVリソグラフィは非常に重要な技術であり、兵庫県立大学の私のグループが世界の中で基盤技術開発をリードしており、2019年から先端半導体の量産技術に導入できた。現在は、iPhoneやiPadやデータセンター用等の先端MPUの製造に使用されている。IRDSの国際ロードマップに示されているとおり、将来は0.5 nm世代のロジックデバイスの量産が2037年に予定されている
上記したEUVリソグラフィは波長が13.5nmに対して、BEUVリソグラフィは波長6.7 nmのより短い波長によりより微細な回路線幅を実現する。
上記した半導体国際ロードマップに示されている2030年以降のロジックデバイスの量産技術では、より微細な回路線幅を形成する技術が要求されている。これを実現するにはより波長の短い6.7 nmのBEUV光が必要である。EUVリソグラフィで培った基盤技術の開発手法を生かして、BEUVリソグラフィ技術開発を世界に先駆けて進めている。今後の次世代半導体を実現するための超微細半導体製造技術開発を進め、半導体分野で日本が優位に立てるように開発を促進する。