2025年度 (2025/04/01-)

原著論文

  1. Gold Recovery via Silicon Powder Cementation from a Thiosulfate Leaching Solution after Gold Metal Dissolution
    Ayumu Matsumoto, Shota Abe, Nobuyuki Shimizu, Takumi Osaka, Jinichiro Kadowaki, Shinji Yae
    Electrochemistry, 93(6), 067002 (2025).
    https://doi.org/10.5796/electrochemistry.25-00056

著書

  1. シリコンの金属援用エッチングのメカニズムと複合ポーラス構造の形成
    八重真治, 松本 歩
    半導体製造におけるエッチング技術, シーエムシー出版, 第7章 第4節, (2025).

国際会議

  1. Surface-Enhanced Laser-Induced Breakdown Spectroscopy Using Porous Silicon for On-Site Analysis of Microvolume Liquid Samples
    Ayumu Matsumoto, Shinji Yae
    The 6th Asian Symposium on Laser Induced Breakdown Spectroscopy (ASLIBS2025), Wuhan, China, May 25, 2025. (invited)

  2. Metal-Assisted Etching of Highly Doped p-Type Silicon Using Platinum Particles: Effect of Hydrofluoric Acid Concentration in Etching Solution
    Riku Tanaka, Tatsuki Hashiguchi, Takuma Nakayama, Ayumu Matsumoto, Shinji Yae
    4rd International Symposium on Anodizing Science and Technology (AST2025), Chiba, Japan, June 3, 2025. (poster)

  3. Metal-Assisted Etching of p-Si Using Thin Film Patterns of Pt, Ag, and Pt/Ag Double Layer
    Takuma Nakayama, Ayumu Matsumoto, Shinji Yae
    4rd International Symposium on Anodizing Science and Technology (AST2025), Chiba, Japan, June 3, 2025. (poster)

  4. Composite Porous Structure Produced by Metal-Assisted Etching of Silicon
    Shinji Yae, Ayumu Matsumoto
    4rd International Symposium on Anodizing Science and Technology (AST2025), Chiba, Japan, June 4, 2025. (keynote)

  5. Application of Porous Silicon in Laser-Induced Breakdown Spectroscopy for Microvolume Analysis of Electropolishing Solution
    Ayumu Matsumoto, Yuta Toyama, Yusuke Shimazu, Yuki Takeda, Keisuke Nii, Yoshiaki Ida, Shinji Yae
    4rd International Symposium on Anodizing Science and Technology (AST2025), Chiba, Japan, June 4, 2025. (invited)

国内学会、研究会等

  1. ウェットプロセスによる高濃度金属水素化物の創製と水素誘起現象の解析(Ⅱ)
    福室直樹, 八重真治, 橋本倫也
    2025年関西表面技術シンポジウム, 大阪鍍金会館, 大阪市, 2025年7月23日. (依頼講演)

  2. GaAs(001)基板上に形成したNi-Pめっき膜の界面反応層に生じるストレス解析
    西澤弘一郎, 松本 歩, 日坂隆行, 門岩 薫, 川合良和, 尾上和之, 小島善樹, 市川 聡, 福室直樹, 八重真治
    第89回半導体・集積回路技術シンポジウム, 東京理科大学森戸記念館, 新宿区, 2025年8月28日. (ポスター)