【最終更新日2000.8.24】

粉体工学会

2000年度第１回 粉体操作に伴う諸現象に関する勉強会

郵便、FAX、E-mailにて、神田宛にご連絡下さい。なお、参加人数の確定等の事務手続き上の事情もあり、申込〆切を原則として 7月17日（月曜日）必着 とさせて頂きます。数多くの方のご参加を心よりお待ち申し上げております。
（〆切日以降、７月末までの連絡は福井宛お願いします）

京都大学工学研究科化学工学専攻　神田陽一
〒606-8501　京都市左京区吉田本町
Tel.075-753-5751 Fax.075-753-5913
E-mail: kanda@cheme.kyoto-u.ac.jp

広島大学工学部化学工学講座　福井国博
〒739-8527　東広島市鏡山1丁目4-1
Tel&Fax 0824-24-7853
E-mail : kfukui@ipc.hiroshima-u.ac.jp

−　記　−

2000年8月11日（金）12（土）
11日 13:00集合，12日12:00解散

車山ハイランドホテル 
　　　長野県茅野市ビーナスライン車山高原（交通情報）（車山高原案内図）
　　　Tel. 0266-68-2116, Fax. 0266-68-2370

−プログラム−

第１日目

13:30 開会挨拶 

13:35-13:45 自己紹介 

13:45-14:45 特別講演1（含質疑応答）
「高分子微粒子を利用したDDS製剤の設計」
岐阜薬科大学 製剤学教室　山本 浩充 氏

講演要旨：　我々の研究室では従来より球形晶析技術を応用し様々な粉体物性の改善や機能性製剤の設計を行ってきました。現在は本晶析技術を高分子に適用し、マイクロスフェアやナノスフェアといった高分子微粒子薬物キャリアを設計し、さらにこれら粒子に機能性を賦与したDDS製剤に関する研究を行っています。今回は微粒子をどのように調製し、応用しているのかについて議論できればと思います。

14:45-15:00 休憩 

15:00-16:00 特別講演2（含質疑応答）
「単分散シリカ微粒子の調製と機能性の付与技術」
山形大学 工学部 物質化学工学科　木俣 光正 氏 

講演要旨：　金属アルコキシドの加水分解・重縮合により比較的容易に単分散球状酸化物微粒子を合成することができる。しかし，そのサイズはサブミクロン以下であり、更に大きな粒子の合成には一度合成した粒子を種（シード）として成長させる、いわゆるシード粒子成長法によってミクロンオーダーの粒子合成が可能となる。本法によりミクロンオーダーのシリカ微粒子が得られているが、合成過程で新たに発生する微小粒子を分級によって除去しなければならない。ここでは、そのような微小粒子が発生しない条件下でのミクロンオーダーの単分散シリカ粒子の調製法について示す。また、本シード粒子成長法を利用して種類の異なる酸化物をコーティングした単分散複合微粒子を合成し、導電性などの機能を付与させる技術についても紹介する。

16:00-16:15 休憩 

16:15-17:15 研究発表会1

　　　　　　参加者（研究グループ）の20分程度発表（含質疑応答）

17:15-19:30 夕食・入浴等

19:30-21:30 研究発表会２

　　　　　　参加者（研究グループ）の20分程度発表（含質疑応答）

　

9:00-10:00 特別講演3（含質疑応答）
「CVD成膜プロセスにおける微粒子の発生と薄膜の形態におよぼす影響の評価」
理化学研究所 レーザー反応工学研究室　藤本 敏行 氏

講演要旨：　大規模集積回路（ＬＳＩ）は主にシリコンの単結晶のウェハ上に半導体、絶縁体、誘電体、金属の薄膜を堆積することで製造される。これらの薄膜は、スパッタ法、ゾル−ゲル法、メッキなどによっても堆積されるが、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition; 化学気相成長）法による薄膜の堆積は、ＬＳＩの製造に不可欠な技術となっている。近年ではＬＳＩの高集積化を達成するため、配線パターンが微細化しており、成膜過程で発生する微粒子によるデバイスの汚染が問題となっているが、ＣＶＤプロセスでは成膜過程は非常に複雑であり、成膜過程の解析は容易ではない。そこで、本研究では、シンプルなモデルリアクタを用いてＣＶＤプロセスでの微粒子発生が薄膜の成長におよぼす影響について検討した。 

10:00-10:15 休憩

10:15-11:55 研究発表会3

　　　　　　参加者（グループ）の20分程度発表（含質疑応答）

11:55 閉会挨拶

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