スパッタリング法による新規強誘電体薄膜の作製

概略

　近年、高性能な不揮発性メモリ等の素子材料に強誘電体薄膜を用いる実用化研究が展開されている。現在この素子材料には主に鉛系材料が用いられているが、環境保全の観点から鉛等の有害物質を含まない材料の開発が強く求められている。我々の研究室ではA³⁺B³⁺O₃型ペロブスカイト構造を有する(Bi_1-xLa_x)(Ni_0.5Ti_0.5)O₃ (x ≧ 0.3) (BLNT)を新規に開発した。現在高温スパッタリング法によりこれらの薄膜の作製を行っており、その諸特性を詳細に評価している。





Key Words : 強誘電体、圧電体、非鉛材料、スパッタリング法

利用用途 : 不揮発性メモリー