学部・研究科案内
教員詳細
- 堀田 育志 [ほった やすし]
- 准教授｜理学博士
- メールアドレス hotta@eng.u-hyogo.ac.jp
研究テーマ：金属酸化物薄膜物性及び半導体界面物性の研究
本研究室では、超微細MOS型トランジスタや高効率太陽電池などの半導体デバイスの高性能化につながる応用研究を進めています。具体的には、パルスレーザー堆積法などの最先端の薄膜形成装置を駆使して構造や組成を精密に制御した金属酸化物などの絶縁材料を半導体基板上に形成し、それらの構造解析、電気測定を通じて基本物性を詳細に調べることでデバイス高性能化に向けた物理的要因を究明していく研究を行っています。
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パルスレーザー堆積法：レーザーを用いて様々な材料を薄膜化できる技術
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シリコン太陽電池セルの構造：研究ターゲットの一つとして太陽電池の電界効果パッシベーション（FEP）層の開発を行っている
