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| (C) 2004 School/Graduate School of Engineering, University of Hyogo. All Rights Reserved. |
| 氏名 | 藤沢 浩訓 | |
|---|---|---|
| フリガナ | フジサワ ヒロノリ | |
| 所属 | 大学院 | 電気系工学専攻 / 物性・デバイス工学部門 |
| 学部 | 電子情報電気工学科 / 電子素子・回路コース | |
| 研究グループ | 電子デバイス研究グループ | |
| 連絡 | TEL | 079-267-4883 |
| FAX | 079-267-4855 | |
| 役職 | 准教授 | |
| 学位 | 工学博士 | |
| 担当 科目 |
大学院 | （前期課程）電気系工学特別演習Ｂ、電気系工学特別実験Ｂ |
|---|---|---|
| 学部 | 電磁気学演習、電気系実験 I 、卒業研究 | |
| 専門分野 | 電子デバイス | |
| 研究内容 | MOCVD法による各種薄膜の作製とSPMによるナノレベル評価 | |
| 所属学会 |
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| 最近の研究業績 | Ferroelectricity and local currents in epitaxial 5 and 9 nm-thick Pb(Zr,Ti)O3 ultrathin films by scanning probe microscopy, H. Fujisawa, H. Nonomura, M. Shimizu, H. Niu and K. Honda, Appl. Phys. Lett., 86 (2005) 012903. 所属研究グループのサイトをご覧ください。 |
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■研究の詳細については、こちらをご覧ください。
⇒電子デバイス研究グループのサイトへ
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