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| (C) 2004 School/Graduate School of Engineering, University of Hyogo. All Rights Reserved. |
| 氏名 | 中嶋 誠二 | |
|---|---|---|
| フリガナ | ナカシマ セイジ | |
| 所属 | 大学院 | 電気系工学専攻 / 物性・デバイス工学部門 |
| 学部 | 電子情報電気工学科 / 電子素子・回路コース | |
| 研究グループ | 電子デバイス研究グループ | |
| 連絡 | TEL | 079-267-4877 |
| FAX | 079-267-4855 | |
| 役職 | 助教 | |
| 学位 | 工学博士 | |
| 担当 科目 |
大学院 | (前期課程)電気系工学特別演習B、電気系工学特別実験B |
|---|---|---|
| 学部 | 電磁気学演習、電気系実験Ⅰ、計算機実習A、卒業研究 | |
| 専門分野 | 固体電子工学 | |
| 研究内容 | 強誘電体、マルチフェロイック薄膜物性に関する研究 | |
| 所属学会 |
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| 最近の研究業績 | FS. Nakashima, D. Ricinschi, J. M. Park,
T. Kanashima, H. Fujisawa, M. Shimizu and
M. Okuyama, "Ferroelectric and structural
properties of stress-constrained and stress-relaxed
polycrystalline BiFeO3 thin films",
J. Appl. Phys., 105, 061617 (2009) S. Nakashima, O. Sakata, Y. Nakamura, T. Kanashima, H. Funakubo, and M. Okuyama, "X-ray diffraction study of polycrystalline BiFeO3 thin film under electric field", Appl. Phys. Lett., 93, 042907 (2008) 他 所属研究グループのサイトをご覧ください |
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■研究の詳細については、こちらをご覧ください。
⇒電子デバイス研究グループのサイトへ
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