研究紹介Research
研究内容Research contents
半導体デバイスの高性能化Development of semiconductor devices
- 高効率結晶シリコン太陽電池の開発に向けたパッシベーション層の開発
Development of suface passivation layers to achieve higher conversion efficiency on crystalline silicon solar cells
酸化物とシリコンの融合Corporation of oxides to silicon
- シリコン基板上への遷移金属酸化物薄膜のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of transition-metal-oxide films on Si substrates
- シリコン基板上における遷移金属酸化物デバイスの実現
Fabrication of electronic devices based on transition metal oxides on Si substrates
生体を模倣した制御システムDevelopment of control systems in mimicry of biological objects
- 確率共振を利用した新しい制御システム開発
Development of novel control system to utilize a phenomenon of stochastic resonace
実験設備Apparatuses
実験手法についてAbout our experimental techniqe

試料作製システムSample Fabrication Systems
- パルスレーザー堆積装置 Pulsed Laser Deposition System

本装置は、パルスレーザーを用いて薄膜を作製する装置です。
- ヘリコンスパッタ装置 Helicon Sputtering System

本装置は、ヘリコン波プラズマスパッタ法を用いた成膜装置です。白金等の高融点金属の成膜利用します。装置は、IRランプによって試料基板を加熱できる機構を備えています。また、ミックスガスを用いたスパッターにも対応しています。
- 真空加熱蒸着装置 Thermal Evaporation System

本研究室で自作された抵抗加熱による真空加熱蒸着装置です。真空中でWのワイヤバスケットをに電流を流して加熱することによって、低融点材料の成膜に使用します。蒸着源を3つセットすることが可能であり、片面であれば3種類の層を積層することができます。また、回転機構を有する試料ホルダもセットでき、この場合、使用できる蒸着源は2つになりますが、試料の表面・裏面への蒸着を一度に行うことができます。
- 電気炉 Furnaces

電気炉は、試料のアニール、ターゲットの焼成、ペーストの乾燥と様々な用途に使用します。本研究室には管状路、マッフル炉、乾燥炉の3種類の電気炉があり、それぞれの用途によって使い分けています。
- クリーンドラフトベンチ Clean Draft

基板試料の洗浄や前処理は、クリーンドラフトベンチ内で行います。ベンチ内には、超純水装置があり、シリコン基板等を洗浄するための超純水の採水ができるようになっています。また、超音波洗浄機やホットプレートなどの機器もクリーンベンチ内に置かれています。
電気特性評価システムElectrical Measurement Systems
- マイクロプローバー Micro Prober

本研究室で自作されたプローバーシステムで、マイクロスケールの試料電極にコンタクトするためのに使います。試料ステージ側には3軸の粗動機構を、タングステン製の針を搭載したコンタクトアーム側には3軸のマイクロマニュピュレータを備えており、試料の電極にコンタクトし易いように設計されている。また、USBマイクロスコープを備えており、モニタ上で表面を観察しながらの操作が可能です。
- E4980A プレシジョンLCRメータ E4980A Precision LCR Meter

容量-電圧特性の測定に利用します。20Hz〜2MHzのレンジで測定が可能です。
- 236 ソースメジャーユニット 236 Source Measure Unit

電流-電圧特性の測定に利用します。
- ホール測定システム Hall Measurement System

試料の抵抗率、キャリア濃度、キャリア移動度の測定に利用します。