学会発表

2000-2005

2005


  1. 直山卓示，野田実，奥山雅則，藤沢浩訓，清水勝：「MOCVD－水熱処理による(Pb,Ba)TiO3薄膜の240℃での低温作製」，第16回日本MRS 学術シンポジウム，講演予稿集p.162, G1-P02-M, 2005/ T. Naoyama, M. Noda, M. Okuyama, H. Fujisawa, M. Shimizu, A Low Temperature Preparation of (Pb,Ba)TiO3 Thin Films by MOCVD-Hydrothermal treatment at 240oC, Abs. of the 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan, p.162, G1-P02-M, 2005 (The 16th Symp. of the Mater. Res. Soc. of Japan, Tokyo, Japan, Dec.10-11, 2005).

  2. 藤沢浩訓，岩本直也，清水勝，丹生博彦，古川泰志，河野和久，大島憲昭：「新規液体原料を用いたMOCVD法によるFeRAM用Ir及びIrO2電極の作 製」，第16回日本MRS学術シンポジウム，講演予稿集p.162, G1-P03-G, 2005/ H. Fujisawa, N. Iwamoto, M. Shimizu, H. Niu, K. Furukawa, K. Kawano and N. Oshima, Fabrication of Ir and IrO2 electrodes for FeRAMs by MOCVD using a novel liquid precursor, Abs. of the 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan, p.162, G1-P03-G, 2005 (The 16th Symp. of the Mater. Res. Soc. of Japan, Tokyo, Japan, Dec.10-11, 2005).

  3. 堀井通，長田賢樹，高島慶行，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，小高康稔，本田耕一郎：「MOCVD法による原子層ステップを有するPbTiO3極薄膜のエピ タキシャル成長」，第16回日本MRS学術シンポジウム，講演予稿集p.100, A1-P09-M, 2005/ T. Horii, M. Nagata, Y. Takashima, H. Fujisawa, M. Shimizu, H. Niu, Y. Kotaka and K. Honda, Epitaxial Growth of PbTiO3 Ultrathin Films with an Atomic Step by MOCVD, Abs. of the 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan, p.100, A1-P09-M, 2005 (The 16th Symp. of the Mater. Res. Soc. of Japan, Tokyo, Japan, Dec.10-11, 2005).

  4. 長田賢樹，野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎，長田実，斎藤啓介：「MOCVD法により作製したナノサイズPbTiO3自己集合島の構造 解析」，第16回日本MRS学術シンポジウム，講演予稿集p.106, A1-O08-M, 2005/ M. Nagata, H. Nonomura, H. Fujisawa, M. Shimizu, H. Niu, K. Honda, M. Osada and K. Saito, Structural Analyses of Self-Assembled PbTiO3 Nanoislands Prepared by MOCVD, Abs. of the 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan, p.106, A1-O08-M, 2005 (The 16th Symp. of the Mater. Res. Soc. of Japan, Tokyo, Japan, Dec.10-11, 2005).

  5. 直山卓示，野田　実，奥山雅則，藤沢浩訓，清水　勝：「MOCVD-水熱処理による(Pb,Ba)TiO3薄膜の低温作製」，平成17年(2005)秋季 第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.473，論文No.8p-L-14.

  6. 高島慶行，野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「走査型プローブ顕微鏡によるPbTiO3極薄膜の観察」，平成17年(2005)秋季第66回応用物 理学会学術講演会講演予稿集，p.470，論文No.8p-L-4.

  7. 長田賢樹，野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎，長田　実：「MOCVD法により作製したPbTiO3自己集合島の構造評価」，平成17年 (2005)秋季第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.470，論文No.8p-L-3.

  8. 森本悠子，野々村哉，堀井　通，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「自己集合化による金属ナノドットを上部電極に用いた強誘電体キャパシタの作製」，平成17 年(2005)秋季第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.469，論文No.8p-L-2.

  9. 藤沢浩訓，岩本直也，清水　勝，丹生博彦，古川泰志，河野和久，大島憲昭：「新規Ir原料を用いたMOCVD法によるIr系電極の作製」，平成17年 (2005)秋季第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.469，論文No.8a-L-11.

  10. 古川泰志，河野和久，大島憲昭，高森真由美，多田賢一，山川　哲，藤沢浩訓，清水　勝：「新規MOCVD用イリジウム材料」，平成17年(2005)秋季 第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.468，論文No.8a-L-10.

  11. 岡庭守，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「MOCVD法により作製したPbTiO3ナノ構造の強誘電性」，第22回強誘電体応用会議講演予稿 集，25-T-12，pp.45-46，2005.

  12. 岩本直也，那須誠，亘理聡一，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，大島憲昭：「Ti系バリアメタル上へのMOCVD法によるIr系薄膜の作製」，平成17年 (2005)春季第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.668，論文No.31a-P4-16.

  13. 森本悠子，野々村哉，長田賢樹，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「自己集合化により作製したAuナノドットを用いたPb(Zr,Ti)O3極薄膜の特性評 価」，平成17年(2005)春季第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.652，論文No.30a-P2-4.

  14. 野々村哉，大西祐輔，藤沢浩訓，清水　勝，丹生博彦，本田耕一郎：「CR-PFMによる膜厚10nm以下のPZT極薄膜の強誘電性の観察」，平成17年 (2005)春季第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.652，論文No.30a-P2-3.

  15. 長田賢樹，野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「ナノサイズPbTiO3自己集合島のドメイン構造」，平成17年(2005)春季第52 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.652，論文No.30a-P2-2.

  16. 清水勝，野々村哉，藤沢浩訓，丹生博彦，本田耕一郎：「MOCVD 法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性」，平成17年（機会振興会館，3/11）電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会「新型不揮発性メモ リ」，電子情報通信学会技術研究報告書，Vol.104，No.713，pp.23-28 (SDM2004-253 (2005-03)).

2004


  1. 福島浩次、小舟正文、西岡雄亮、井上智晶、矢澤哲夫：「等方加圧アニール法によりMgO単結晶基板上で結晶化したPb(Zr0.30Ti0.70)O3薄 膜の物理的性質」，第15回日本MRS学術シンポジウム，講演予稿集p.66，A1-O18, 2004./ K. Fukushima, M. Kobune, Y. Nishioka, T. Yamaji, T. Yazawa, Physical Properties of Pb(Zr0.30Ti0.70)O3 Thin Films Crystallized on MgO Single-Crystal Substrates by Hot Isostatic Pressing, Abs. of The 15th Symp. of the Mater. Res. Soc. of Japan, p.66, A1-O18, 2004 (Tokyo, Japan, Dec.23-24, 2004).

  2. 野々村哉，長田賢樹，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「MOCVD 法により作製したPbTiO3 自己集合ナノ島の形および面内方位の制御」，第15回日本MRS学術シンポジウム，講演予稿集p.66，A1-O17, 2004/ H. Nonomura, M. Nagata, H. Fujisawa, M. Shimizu, H. Niu and K. Honda, Control of Shape and In-plane Orientation of Self-Assembled PbTiO3 Nanoislands Prepared by MOCVD, Abs. of The 15th Symp. of the Mater. Res. Soc. of Japan, p.66, A1-O17, 2004 (Tokyo, Japan, Dec.23-24, 2004).

  3. 岡庭 守、藤沢浩訓、清水 勝、丹生博彦：「低温MOCVD 法による・配向PZT 厚膜の作製」，第15回日本MRS学術シンポジウム，講演予稿集p.60，A1-P01-D, 2004/ M. Okaniwa, H. Fujisawa, M. Shimizu, and H. Niu, Preparation of ・-Oriented Pb(Zr,Ti)O3 Thick Films by Low Temperature MOCVD, Abs. of The 15th Symp. of the Mater. Res. Soc. of Japan, p.60 (Tokyo, Japan, Dec.23-24, 2004).

  4. 長田賢樹，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，野々村哉，本田耕一郎：「強誘電体ナノ構造の作製とその圧電性・強誘電性」，第21 回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム，講演概要集p.19（京都テルサ，平成16年10月14-15日）/H. Fujisawa, M. Nagata, H. Nonomura, M. Shimizu, H. Niu and K. Honda, "Preparation of Self-assembled PbTiO3 Nanostructures by Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Their Ferro- and Piezo-electric Properties", Proc. of the 21st Sensor Symp. 2004, B1-6, pp.81-84 (The 21st Sensor Symp. on Sensors, Micromachines, and Applied Systems, Kyoto, Japan, Oct.14-15, 2004). proceeding審査無し

  5. 長田賢樹，野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「ナノサイズPbTiO3自己集合島の構造制御と強誘電特性」，平成16年(2004)秋 季第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.492，論文No.3p-Y-15.

  6. 野々村哉，長田賢樹，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「MOCVD法による膜厚10nm以下のPZT極薄膜の作製とその強誘電性」，平成16年 (2004)秋季第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.492，論文No.3p-Y-14.

  7. 亘理聡一，岩本直也，藤澤浩訓，清水勝，丹生博彦，大島憲昭：「新規原料Ir(EtCp)(CHD)を用いたMOCVD法によるIr系電極の作製 (IV)」，平成16年(2004)秋季第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.474，論文No.2a-Y-4.

  8. 藤沢浩訓，八木達也，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「圧電応答顕微鏡によるPZT キャパシタの分極反転過程の観察」，第21回強誘電体応用会議講演予稿集，27-T-13，pp.47-48，2004.

  9. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，斎藤啓介，本田耕一郎：「MOCVD 法によりSrTiO3及びMgO上に作製したPbTiO3自己集合島の構造制御」，第21回強誘電体応用会議講演予稿集，26-T-4，pp.19- 20，2003.

  10. 藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「自己組織化による強誘電体PbTiO3ナノ構造の形成と構造制御」，平成16年(2004)春：日本物理学会　第59回年 次大会予稿集，p.973，論文No.29p-XH-2（領域10シンポジウム「ナノスケール構造を利用した物質創製－材料種の枠を超えて」）．

  11. 野々村哉，貴傳名康生，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「電流検出型AFMを用いたPZT極薄膜の局所電流特性の観察」，平成16年(2004)春季第51 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.607，論文No.29p-ZL-13.

  12. 野々村哉，浮本政伸，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「膜厚10nm以下のPZT極薄膜の強誘電性」，平成16年(2004)春季第51回応用 物理学関係連合講演会講演予稿集，p.607，論文No.29p-ZL-12.

  13. 野々村哉，長田賢樹，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「ナノサイズPbTiO3自己集合島の強誘電特性(IV)」，平成16年(2004)春季 第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.606，論文No.29p-ZL-11.

  14. 岡庭守，新村友透，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，小舟正文：「HIP法によるPb(Zr,Ti)O3膜の結晶化と特性評価」，平成16年(2004)春季 第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.599，論文No.29a-ZL-1.

  15. 亘理聡一，藤澤浩訓，清水勝，丹生博彦，大島憲昭：「新規原料Ir(EtCp)(CHD)を用いたMOCVD法によるIr系電極の作製(III)」，平成 16年(2004)春季第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.597，論文No.28p-ZL-10.

  16. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「MOCVD法によるPbTiO3自己集合島の構造制御」，平成16年（機会振興会館，3/17）電 子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会「新型不揮発性メモリー」，電子情報通信学会技術研究報告書，Vol.103，No.729，pp.31- 36 (SDM2003-237 (2004-03)).

2003


  1. 清水勝，藤沢浩訓：「圧電応答顕微鏡による強誘電体薄膜の分極反転過程の観察と評価」，日本物理学会　2003年（平成15年）秋季大会予稿集， p.862，論文No.21p-XC-7（領域10シンポジウム「走査プローブ顕微鏡による強誘電体研究の新展開－強誘電体物性の微視的測定と制御 －」）．

  2. 亘理聡一，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，大島憲昭：「新規原料Ir(EtCp)(CHD)によるMOCVD-Ir電極を用いたPb(Zr,Ti)O3キャ パシタの作製」，平成15年(2003)秋季第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.508，論文No.2p-V-4.

  3. 亘理聡一，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，大島憲昭：「新規原料Ir(EtCp)(CHD)を用いたMOCVD法によるIr系電極の作製(II)」，平成 15年(2003)秋季第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.507，論文No.2p-V-3.

  4. 亘理聡一，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，大島憲昭：「新規原料Ir(EtCp)(CHD)を用いたMOCVD法によるIr系電極の作製(I)」，平成15 年(2003)秋季第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.507，論文No.2p-V-2.

  5. 高森真由美，河野和久，多田賢一，山川哲，大島憲昭，亘理聡一，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「新規原料MOCVD用Ir錯体」，平成15年(2003) 秋季第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.507，論文No.2p-V-1.

  6. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「ナノサイズPbTiO3自己集合島の強誘電特性 (III)」，平成15年(2003)秋季第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.496，論文No.1a-V-9.

  7. 松田悠作，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「InP基板を用いたMFIS構造の作製」，平成15年(2003)秋季第64回応用物理学会学術講演会講演予稿 集，p.472，論文No.30p-T-6.

  8. 岡田雅司，菅田勝，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「p及びn型Si基板を用いたMIS及びMFIS構造の界面準位の評価」，平成15年(2003)秋季第 64回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.472，論文No.30p-T-5.

  9. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「MOCVD法によるナノサイズPbTiO3自己集合島の作製と評価」，第20回強誘電体応用会議講 演予稿集，28-T-8，pp.37-38，2003.

  10. 岡庭守，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の低温成長と特性の改善」，平成15年（機会振興会館，7/4）電 子情報通信学会ESサマーミーティング「圧電デバイス・材料、強誘電体材料、有機エレクトロニクス、一般」，電子情報通信学会技術研究報告書， Vol.103，No.168，pp.1-6 (US2003-23,EMD2003-15,CPM2003-49,OME2003-33(2003-07)).

  11. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「MOCVD法により作製したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3極薄膜の電気的特性(II) 」，平成15年(2003)春季第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, p.605，論文No.29p-R-17．

  12. 八木達也，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「エピタキシャルPZT薄膜の分極反転過程の観察(V)」，平成15年(2003)春季第50回応用物理学関係連 合講演会講演予稿集,p.603，論文No.29p-R-12．

  13. 岡庭守，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法によりCurie温度前後で成膜したPb(Zr,Ti)O3薄膜の特性評価」，平成15年 (2003)春季第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,p.600，論文No.29p-R-2.

  14. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「ナノサイズPbTiO3自己集合島の強誘電特性(II)」，平成15年(2003)春季第50回応用物理学関係 連合講演会講演予稿集,p.593，論文No.28p-R-10．

  15. 藤沢浩訓,岡庭 守,清水勝，丹生博彦：「ナノサイズPbTiO3自己集合島の強誘電特性(I) 」，平成15年(2003)春季第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,p.593，論文No.28p-R-9．

  16. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性」，平成15年 （機会振興会館，3/18）電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会「強誘電体薄膜とデバイス応用，デバイス／回路動作」，電子情報通信学会技術研 究報告書，Vol.102，No.732，SDM2002-264(2003-03)，pp.69-74.

2002


  1. 清水勝，藤沢浩訓，丹生博彦：「圧電応答顕微鏡による強誘電体薄膜のドメイン観察」，第21回電子材料部会セミナー（日本セラミックス協会）（2002年 11月19日，東京大学）pp.21-16 (2002)．

  2. 藤沢浩訓，八木達也，清水勝，丹生博彦：「エピタキシャルPZT薄膜の分極反転過程の観察（IV）」，平成14年(2002)秋季第63回応用物理学会学 術講演会講演予稿集，p.466，論文No.26p-P10-12.

  3. 八木達也，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「エピタキシャルPZT薄膜の分極反転過程の観察（III）」，平成14年(2002)秋季第63回応用物理学会 学術講演会講演予稿集，p.465，論文No.26p-P10-10.

  4. 岡庭守，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「低温MOCVD法によるPb（Zr，Ti）O3薄膜の特性に核付けが及ぼす効果[II]」，平成14年 (2002)秋季第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.464，論文No.26p-P10-6.

  5. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法により作製したエピタキシャルPb（Zr，Ti）O3極薄膜の電気的特性」，平成14年 (2002)秋季第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.464，論文No.26p-P10-5.

  6. 菅田勝，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「強誘電体/絶縁体層をMOCVD法により作製したMFIS構造の評価（II）」，平成14年(2002)秋季第 63回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.449，論文No.24p-P4-21.

  7. 菅田勝，岡田雅司，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「強誘電体／絶縁体層をMOCVD法により作製したMFIS構造の評価」，平成14年(2002)春季第 49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.541，論文No.30a-ZA-11.

  8. 八木達也,金子智也，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「エピタキシャルPZT薄膜の分極反転過程の観察(II)」，平成14年(2002)春季第49回応用 物理学関係連合講演会講演予稿集,p.515，論文No.27p-ZA-14.

  9. 喜多賢太郎,藤沢浩訓,清水勝,丹生博彦：「MOCVD法のみによるPZTキャパシタの作製とその評価(Ⅱ)」，平成14年(2002)春季第49回応用 物理学関係連合講演会講演予稿集,p.510，論文No.27p-ZA-1.

  10. 藤沢浩訓，八木 達也，小川 雅正，岡庭 守，清水勝，丹生博彦：「圧電応答顕微鏡による低温MOCVD-PZT薄膜のドメイン構造観察」，平成14年(2002)春季第49回応用物理学関係連合 講演会講演予稿集,p.510，論文No.27a-ZA-11.

  11. 岡庭 守，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「低温MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の特性に核付けが及ぼす効果」，平成14年(2002)春季第49 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,p.510，論文No.27a-ZA-10.

  12. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「表面処理したSrTiO3基板上のエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜の電気的特性」，平成14年 (2002)春季第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,p.508，論文No.27a-ZA-5.

2001


  1. 岡庭守，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の低温成長と核付けが及ぼす効果」，平成14年（東工大，3/14 -15）電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会「強誘電体薄膜とメモリ応用」，電子情報通信学会技術研究報告書，Vol.101，No.718， pp.13-18 (SDM2001-256(2002-03)).

  2. 藤沢浩訓，野々村哉，石田謙司，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法によるエピタキシャルTiO2薄膜の作製」，平成13年(2001)秋季第62回応用物 理学会学術講演会講演予稿集，p.476，論文No.14p-ZV-1.

  3. 藤沢浩訓，菅井弘，八木達也，野々村哉，清水勝，丹生博彦，増本健：「LB法により作製したPZT超薄膜の強誘電特性の評価」，平成13年(2001)秋 季第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.400，論文No.13p-ZR-16.

  4. 野々村哉，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「SrTiO3基板上へのPb(Zr,Ti)O3薄膜のエピタキシャル成長とその観察」，平成13年(2001) 秋季第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.397，論文No. 13p-ZR-8.

  5. 喜多賢太郎，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法のみによるPZTキャパシタの作製とその評価」，平成13年(2001)秋季第62回応用物理学 会学術講演会講演予稿集，p.397，論文No.13p-ZR-7.

  6. 八木達也，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「エピタキシャルPZT薄膜の分極反転過程の観察」，平成13年(2001)秋季第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集，p.389，論文No.12p-ZR-10.

  7. 小舟正文，松浦修武，松崎智昭，澤田達也，嶺重温，藤井知，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎：「二段階ポストアニール法により結晶化した(Pb, La)(Zr,Ti)O3薄膜の観察と電気特性」，第18回強誘電体応用会議講演予稿集，26-T-32，pp.85-86, 2001.

  8. 藤沢浩訓，喜多賢太郎，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法のみによるIr/PbZrxTi1-xO3/Irキャパシタの低温作製」，第18回強誘電体応用 会議講演予稿集，24-T-11，pp.43-44, 2001.

  9. 菅田勝，板東達也，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法によるTiO2薄膜をバッファI層に用いたMFIS構造の作製」，平成13年(2001) 春季第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.537，論文No.28a-ZX-8.

  10. （野々村哉），森本浩司，藤沢浩訓，岡庭守，清水勝，丹生博彦：「SrRuO3/SrTiO3・上に作製したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜の 初期成長過程の観察」，平成13年(2001)春季第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.575，論文No.31a-YA-9.

  11. 野々村哉，前川浩史，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「SrTiO3基板上へのSrRuO3およびPb(Zr,Ti)O3薄膜のエピタキシャル成長」，平成 13年(2001)春季第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.574，論文No.31a-YA-8.

  12. 岡庭守，森本浩司，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「PbTiO3初期核を用いたPbZrxTi1-xO3薄膜の特性制御」，平成13年(2001)春季第 48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.574，論文No.31a-YA-7.

  13. 喜多賢太郎，黒川正樹，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法による強誘電体メモリデバイス用Ir系電極の作製と評価（Ⅴ）」，平成13年 (2001)春季第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.568，論文No.30p-YC-6.

  14. 藤沢浩訓，村田周平，松岡裕益，板東達也，清水勝，丹生博彦：「I層にMgOを用いたMIS及びMFIS構造の作製とその評価」，平成13年電子情報通信 学会シリコン材料・デバイス研究会「強誘電体薄膜とその応用」，電子情報通信学会技術研究報告書，Vol.100，No.652，pp.33-37 (SDM2000-233 (2001-03)).

2000


  1. 藤沢浩訓，神田剛，清水勝，丹生博彦，野島秀雄：「スパッタ法によるTiO2薄膜の作製とその評価」，平成12年(2000)秋季第61回応用物理学会学 術講演会講演予稿集，p.494，論文No.3p-E-12.

  2. 森本浩司，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法により作製した島状PbZrxTi1-xO3のSPMによる圧電応答測定」，平成12年 (2000)秋季第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.442，論文No.5p-G-13.

  3. 藤沢浩訓，松元良弘，清水勝，丹生博彦：「SPMによるPb(Zr,Ti)O3薄膜の分極反転特性の測定」，平成12年(2000)秋季第61回応用物理 学会学術講演会講演予稿集，p.442，論文No.5p-G-12.

  4. 喜多賢太郎，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法による強誘電体メモリデバイス用Ir系電極の作製と評価（Ⅳ）」，平成12年(2000)秋季第 61回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.439，論文No.5p-G-2.

  5. 板東達也，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，松田哲朗：「プラズマ酸化法によるAl2O3バッファ層を用いたMFIS構造の作製と評価[II]」，平成12年 (2000)秋季第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p.437，論文No.5a-G-9.

  6. 小舟正文，松浦修武，松崎智昭，嶺重温，藤井知，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「エピタキシャル(Pb,La)(Zr,Ti)O3薄膜の強誘電特性に及ぼ すPt/SrRuO3上部電極の効果」，第17回強誘電体応用会議講演予稿集，26-T-32，pp.119-120, 2000.

  7. 藤沢浩訓，森本浩司，村上幸平，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎，大谷成元：「MOCVD法によるPbZrxTi1-xO3薄膜の成長初期過程の観察」，第 17回強誘電体応用会議講演予稿集，24-T-11，pp.43-44, 2000.

  8. 奥野晴美，宮田昭雄，野島秀雄，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法により作製したTiO2薄膜の電気化学特性」平成12年(2000)春季第 47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.582，論文No.28p-ZB-6.

  9. 藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，奥野晴美，宮田昭雄，野島秀雄：「MOCVD法によるTiO2薄膜の作製と配向制御」，平成12年(2000)春季第47回 応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.582，論文No.28p-ZB-5.

  10. 松元良弘，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「走査型プローブ顕微鏡によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の圧電応答の測定」，平成12年(2000)春季第47 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.518，論文No.29p-P7-14.

  11. 板東達也，上林輝彦，鴛海健一，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，松田哲朗：「プラズマ酸化法によるAl2O3バッファ層を用いたMFIS構造の作製と評 価」，平成12年(2000)春季第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.542，論文No.31p-P7-20.

  12. 森本浩司，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦，本田耕一郎，大谷成元：「MOCVD法により作製したPbTiO3薄膜の成長初期過程のTEMによる観察 [Ⅱ]」，平成12年(2000)春季第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.518，論文No.29p-P7-13.

  13. 喜多賢太郎，友澤方彦，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法による強誘電体メモリデバイス用Ir系電極の作製と評価（Ⅲ）」，平成12年 (2000)春季第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p.515，論文No.29a-P7-6.

  14. 喜多賢太郎，友澤方彦，藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「MOCVD法によるIr薄膜の作製と強誘電体メモリへの応用」，誘電体研究委員会平成11年度年次 報告書，p.381(2000).

  15. 藤沢浩訓，清水勝，丹生博彦：「Pb(Zr,Ti)O3薄膜を用いたMFIS構造における絶縁体膜の検討　- C-V及びDLTS法による界面準位密度の測定 -」，平成12年電子情報通信学会電子デバイス研究会／シリコン材料デバイス研究会「強誘電体材料及びその応用」，電子情報通信学会技術研究報告書， Vol.99，No.670,671,672,673，pp.7-11 (ED99-320,SDM99-213(2000-03)).

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